اختراق علمي في تخزين ومعالجة البيانات

ابتكر علماء من جامعة سان بطرسبورغ الحكومية الكهروتقنية نماذج أولية لمكونات جديدة تُعرف بـ"الميمريستورات" (Memristors)، وهي عناصر نانوية يمكنها الجمع بين الذاكرة ومعالجة المعلومات في ذات الوقت.

تستخدم هذه الميمريستورات أغشية نانوية مصنوعة من تيتانات الباريوم، وهي مادة يمكن التحكم في استقطابها بواسطة مجال كهربائي. وقد أشار الباحثون إلى أن هذه التكنولوجيا قد تشكل أساساً لأجهزة الكمبيوتر المستقبلية التي تعتمد على مبادئ فيزيائية جديدة، خاصة مع قرب التكنولوجيا الحالية القائمة على السيليكون من حدودها القصوى في السرعة وكفاءة الطاقة.

تتمتع الميمريستورات بقدرة فريدة على تغيير مقاومتها تحت تأثير الجهد الكهربائي وتخزين هذه الحالة لفترات طويلة دون الحاجة إلى طاقة إضافية، مما يتيح تطوير مكونات مستقلة تتمتع بذاكرة خاصة بها.

قام العلماء بإجراء سلسلة من التجارب على هذه الأغشية في ظروف متعددة تشمل الفراغ المفرط ودرجات حرارة تتراوح من 243 درجة مئوية تحت الصفر إلى 26 درجة مئوية تحت الصفر. وقد طوروا نموذجاً رياضياً لدراسة سلوك المادة وتحديد الظروف التي تجعلها مناسبة كعنصر مستقل غير معتمد على الطاقة.

تُظهر النتائج الأولية أن هذه التكنولوجيا قد تساهم بشكل كبير في تطوير "الميمريستورات" متعددة الذاكرة، مما قد يمهد الطريق لأجهزة الكمبيوتر العصبية المستقبلية.