Samsung создала прототип NAND-чипа с 900 слоями памяти

Компания Samsung объявила о создании прототипа V-NAND-чипа с рекордным количеством слоев — 900. Для этого инженеры использовали технологию Cell Multi-Bonding (CMB), которая позволяет объединить два модуля памяти по 450 слоев в один чип. Информацию подтвердило издание ETNews, отмечая, что спрос на высокоплотное хранение данных в серверах искусственного интеллекта и дата-центрах продолжает расти. Однако на данный момент это исследовательский этап, а не коммерческий продукт для SSD.

Технология CMB предполагает физическое скрепление двух уже готовых 450-слойных стеков, вместо традиционного добавления слоев вертикальным наращиванием. По словам Samsung, такой подход позволяет обойти две ключевые проблемы производства: деформацию подложек (warpage) и несоосность слоев, которые усугубляются с увеличением количества слоев. Кроме того, компания оптимизировала структуры битовых и словесных линий, что уменьшило площадь чипа и снизило энергопотребление.

Прототип с 900 слоями пока не предназначен для массового производства. В ближайшей перспективе Samsung планирует выпуск V10 поколения с более чем 400 слоями, запуск массового производства которого ожидается во второй половине 2026 года. Разработка 900-слойного чипа служит индикатором направления технологического развития, а аналитики TechGenyz рассматривают этот проект как долгосрочный ответ Samsung на конкуренцию со стороны Китая. Компания также заявляла о планах достичь 1000 слоев NAND к 2030 году.

В конкурентной среде Samsung не является безоговорочным лидером. Компания SK Hynix уже выпускает коммерческие QLC NAND-чипы с 321 слоем, производство которых началось во второй половине 2025 года. Эти чипы обладают ёмкостью 2 Тб, вдвое большей скоростью записи и на 23% лучшей энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Они уже используются в корпоративных SSD, что даёт SK Hynix значительное преимущество в производстве.

Китайская компания YMTC также активно развивает технологии. Она уже поставляет 294-слойные NAND-чипы для потребительских продуктов и планирует начать массовое производство с более чем 300 слоями в 2026 году, несмотря на ограничения США, ограничивающие доступ к современному оборудованию для производства микросхем. Крупные покупатели облачных решений, такие как Apple, Microsoft и Google, внимательно следят за ситуацией на рынке, и для них важнее реальные объёмы поставок во второй половине 2026 года, чем анонсы прототипов.

Для конечных потребителей новость о 900-слойном чипе не изменит ситуацию с доступностью продуктов на рынке в ближайшие годы. Цены и наличие корпоративных SSD в 2026–2027 годах будут зависеть в первую очередь от того, насколько успешно Samsung выведет на рынок поколение V10 и как долго SK Hynix сохранит своё производственное преимущество. Тем не менее, прототип с использованием CMB демонстрирует, что у Samsung есть реальный технический путь к созданию чипов с экстремально большим количеством слоев, хотя путь к серийному производству ещё предстоит пройти.