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Face aux limites du silicium, les semi-conducteurs de troisième génération comme le carbure de silicium et le nitrure de gallium transforment l'électronique grand public et les véhicules électriques.

Le silicium règne sans partage sur l'industrie des puces électroniques depuis des décennies. Mais l'appétit croissant pour la puissance et l'efficacité énergétique a donné naissance à une nouvelle génération de matériaux : les semi-conducteurs à large bande interdite, dont le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Ces composants, capables de supporter des températures et des tensions bien supérieures à celles du silicium classique, deviennent les pièces maîtresses des chargeurs rapides, des convertisseurs de puissance des voitures électriques et des réseaux 5G.
La demande mondiale de puces en carbure de silicium explose, en particulier depuis que les constructeurs de véhicules électriques comme Tesla les adoptent. Selon une analyse du site TechCrunch, ce matériau permet de réduire la taille des convertisseurs électriques tout en augmentant leur rendement jusqu'à 90 %. Résultat : des batteries qui se rechargent plus vite et des appareils dont l'autonomie s'allonge. Cette mutation technologique constitue le socle d'une infrastructure énergétique durable et d'appareils électroniques à la fois plus compacts et plus performants.
L'avantage majeur du nitrure de gallium et du carbure de silicium réside dans leur capacité à transporter l'électricité avec un minimum de pertes thermiques. Avec le silicium traditionnel, une part importante de l'énergie se dissipe en chaleur. Avec la troisième génération, les puces restent froides même sous forte tension. Les fabricants peuvent ainsi supprimer les systèmes de refroidissement encombrants et concevoir des chargeurs muraux très compacts, capables de délivrer 100 watts ou plus et de recharger simultanément un ordinateur portable et un téléphone à une vitesse fulgurante.
L'utilisateur lambda ressent déjà les effets de ces semi-conducteurs nouvelle génération :



